Заяв, зроблених керівництвом двох найбільших виробників мікросхем пам’яті минулого тижня, виявилося достатньо для аналітиків, щоб із впевненістю заявити про пройдений день ринку та появу передумов для його подальшого відновлення. При цьому виробники пам’яті не поспішають з нарощуванням обсягів випуску продукції, щоб краще контролювати динаміку відновлення цін.

Нагадаємо, операційний прибуток Samsung Electronics у третьому кварталі виріс послідовно в три з лишком рази, бізнес SK hynix з випуску мікросхем типу DRAM повернувся до прибутковості після отримання збитків за підсумками двох перших кварталів поточного року. За словами аналітиків Dalton Investments, на яких посилається CNBC , відновлення цін на мікросхеми пам’яті відбувається багато в чому завдяки скороченню поставок нової продукції та виснаження накопичених складських запасів у масштабах усього ринку. Виробники ПК та мобільних пристроїв в умовах досягнення цінами на пам’ять локальних мінімумів готові відновити поповнення складських запасів або пропонувати клієнтам продукти зі збільшеним обсягом пам’яті.

Представники Samsung Electronics на квартальному звітному заході підтвердили, що отримують запити на купівлю нових партій пам’яті від багатьох клієнтів, оскільки дедалі більше учасників ринку сходиться на думці, що галузь досягла дна. Експерти Morningstar заявили, що квартальні звіти найбільших виробників пам’яті в особі Samsung і SK hynix доводять, що галузь випуску пам’яті досягла дна в повній відповідності з очікуваннями ринку.

Послідовно середні ціни на мікросхеми DRAM зросли на 4-6% у Samsung і на 10% у SK hynix у послідовному порівнянні, а для першої з них це стало першим випадком підвищення цін після восьми кварталів безперервного зниження. При цьому складські запаси пам’яті, як і раніше, перевищують норму, як пояснюють представники Morningstar, і це найсильніше виражено в сегменті NAND. Наступного року, на думку аналітиків, виробники пам’яті не будуть поспішати з нарощуванням обсягів випуску пам’яті, щоб обмежувати пропозицію та стимулювати підтримку більш високих цін на пам’ять.

Аналітики TrendForce очікують, що виробники скорочуватимуть обсяги випуску DRAM та NAND у наступному році, а попит на ці види пам’яті зросте на 13 та 16 % відповідно. У випадку оперативної пам’яті складається більш вигідна кон’юнктура, оскільки затребувана пам’ять типу HBM для прискорювачів обчислень, що застосовуються в системах штучного інтелекту, теж відноситься до сегменту DRAM.