Компания Weebit Nano Limited, занимающаяся разработкой резистивной памяти, сообщила о том, что ей удалось создать ReRAM-массивы на 300-миллиметровых пластинах с использованием 28-нанометрового техпроцесса. Такая технология позволит существенно повысить плотность памяти.

Об этом говорится в официальном релизе разработчика.

ReRAM-массивы могут быть использованы для ИИ-систем, систем автономного вождения, 5G и современных процессоров Интернета вещей (IoT). Отметим, что ранее использовался 40-нанометровый техпроцесс. Теперь, когда удалось достичь показателей в 28 нм, стало возможным увеличение плотности памяти — в 4 раза.

                       Составляющие массива Weebit

«28-нм массивы ReRAM реализованы с использованием небольшого и энергоэффективного коммутационного устройства», — говорится в релизе. «Тестирование ReRAM Weebit с одним транзистором и одним резистором (1T1R) массивы, встроенные в 28-нанометровый полностью обедненный кремний на изоляторе (FDSOI), доказали свою надежность, выносливость и сохранение данных, наряду с другими параметрами качества, еще на стадии производства».

                                                ReRAM-массив

В компании считают, что технология ReRAM готова к тому, чтобы ставить ее на поток. И многие производители ждут этого, так как скорость ReRAM практически достигла скорости оперативной памяти (отличие лишь в том, что она энергозависима, как и флеш-память). Однако, сделать это в Weebit Nano Limited обещали еще два года назад, но тогда процесс не заладился. Теперь, когда компания привлекла в качестве стратегического партнера институт CEA-Leti (Франция), возможно, что дело пойдет быстрее.

Источник: focus.ua