Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства высокопроизводительных твердотельных накопителей и оперативной памяти нового поколения для автомобильной отрасли.

Речь, в частности, идёт о флеш-модулях PCIe Gen3 NVMe в формате BGA (Ball Grid Array) вместимостью 256 Гбайт. Они оборудованы контроллером собственной разработки Samsung. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 300 Мбайт/с.

Кроме того, организовано массовое производство памяти GDDR6 DRAM и DDR4 DRAM: ёмкость изделий в обоих случаях составляет 2 Гбайт. Решение GDDR6 DRAM обеспечивает пропускную способность до 14 Гбит/с в расчёте на контакт.

Наконец, начат выпуск флеш-накопителей стандарта Universal Flash Storage (UFS) вместимостью 128 Гбайт.

Новые продукты ориентированы на применение в продвинутых автомобильных информационно-развлекательных комплексах и системах самоуправления. Изделия удовлетворяют требованиям стандарта AEC-Q100, что означает возможность эксплуатации в температурном диапазоне от -40 до +105°C.

Источник: 3dnews.ru