Samsung, один из трех ведущих производителей процессоров, собирался начать выпуск более быстрого и эффективного класса чипов в 2021 году, но согласно уточнённым планам это произойдёт на год позже. Корейский гигант электроники поделился данной информацией на 5-м ежегодном форуме Samsung Foundry Forum (SFF) 2021 в прошлую среду.

Массовое производство первых 3-нанометровых микросхем для своих клиентов Samsung рассчитывает начать в первой половине 2022 года, а второе, улучшенное поколение 3-нанометрового техпроцесса подоспеет в 2023 году.

Первое поколение 3-нанометровой технологии обеспечивает уменьшение площади на 35%, повышение производительности на 30% или снижение энергопотребления на 50% по сравнению с 5-нм техпроцессом. По выходу годной продукции она уже приближается к 4-нм техпроцессу, который в настоящее время внедрён в массовое производство, заявляют в компании.

На ранних стадиях разработки находится технология с детализацией 2 нм. Она базируется на той же структуре транзисторов Gate-All-Around (GAA) Multi-Bridge-Channel FET, что и 3-нанометровый процесс Samsung. Выход её на массовый уровень производства запланирован на 2025 год.

«Мы ожидаем, что переход на 2 нм будет плавным, учитывая опыт работы с 3 нм», — сказал доктор Сиюнг Чой (Siyoung Choi), президент и руководитель производственного бизнеса, Samsung Foundry, выступая на форуме Samsung Foundry. Он также пообещал вскоре объявить о месте строительства нового полупроводникового завода Samsung в США.

Главный конкурент корейского чипмейкера, тайваньская TSMC, должна приступить к массовому производству по 2-нанометровой технологии примерно на год раньше, чем Samsung. Кроме того, TSMC надеется наладить широкомасштабный выпуск 3-нанометровой продукции во второй половине следующего года.

Samsung Foundry продолжает совершенствовать и свой существующий техпроцесс FinFET, всё ещё сохраняющий рентабельность для специализированных продуктов и приложений. Его 17-нанометровый вариант обеспечивает уменьшение площади до 43%, повышение производительности на 39% или повышение энергоэффективности на 49% по сравнению с 28-нм FinFET.

Компания также разрабатывает 14-нм техпроцесс для 3,3 В или для встраиваемой памяти MRAM (eMRAM), обеспечивающей повышенную скорость и плотность записи в микроконтроллерах (MCU), IoT и носимых устройствах. Она ожидает, что переход радиочастотной платформы с 14 нм на 8-нм будет востребован на рынке полупроводников 5G начиная с частоты менее 6 ГГц и до миллиметровых волн.

В отношении глобального дефицита процессоров, Шон Хан (Shawn Han), старший вице-президент Samsung Foundry, сказал, что ситуация не улучшится до 2022 года. «С нашей точки зрения, она сохранится еще шесть-девять месяцев, хотя мы инвестируем сами и другие поставщики производственных сервисов тоже увеличивают свои мощности», — сказал он на брифинге перед Samsung Foundry Forum.

Источник: ko.com.ua