Як передає Укрінформ, про це повідомляє Yonhap.

За даними компанії, нові чипи мають найвищу в галузі ємність у 36 гігабайт.

У Samsung Electronics заявили, що планують масово виробляти напівпровідник нового покоління вже у першій половині року.

Також у компанії додали, що HBM3E 12H пропонує 50-відсоткове покращення порівняно зі своїм попередником HBM3 8H як у продуктивності, так і в ємності.

Він може обробляти дані зі швидкістю до 1 280 ГБ за секунду, що еквівалентно можливості завантажувати понад 40 UHD-фільмів із ємністю в 30 ГБ лише за одну секунду.

Компанія вже також почала доставку зразків HBM3E 12H своїм клієнтам.

Зазначається, що мікросхеми HBM набувають популярності через важливу роль у живленні генеративних систем штучного інтелекту, таких як чат-бот ChatGPT від компанії OpenAI.