Компанія Samsung провела церемонію, присвячену початку постачання першої партії своїх 3-нм чіпів, виконаних з використанням транзисторів GAA. Захід пройшов на майданчику, де розміщується виробнича лінія V1 у кампусі Хвасон у Південній Кореї.

Подія відвідали близько 100 осіб, включаючи вищих чинів Міністерства торгівлі, промисловості та енергетики Південної Кореї та всіх ключових співробітників Samsung, які зробили внесок у розробку та організацію масового виробництва чіпів нового покоління. У ході заходу Samsung оголосила амбітну мету « рухатися вперед за допомогою інноваційних технологій, щоб стати найкращою у світі ».

За словами представників Samsung Foundry, технологічні перешкоди при розробці 3-нм техпроцесу було усунуто за допомогою співпраці як з іншими підрозділами Samsung, так і з виробничими та інфраструктурними партнерами компанії.

3-нм чіпи Samsung використовують технологію транзисторів GAA (Gate All Around), що забезпечує більш ефективне енергоспоживання та підвищену продуктивність у порівнянні з FinFET, що вже використовується. Нове рішення буде застосовуватися для випуску процесорів, призначених для серверів, дата-центрів, а також передових чіпсетів для смартфонів, планшетів, пристроїв, ноутбуків, настільних комп’ютерів та іншої електроніки.

Компанія розпочала розробку GAA на початку 2000-х років та вперше успішно застосувала її при виробництві 3-нм чіпів у 2017 році. Після кількох років досліджень та тестів почалося виробництво нових рішень. Зокрема, 3-нм чіпи поставлятимуть китайська майнінгова компанія.

Очікується, що головний конкурент Samsung на ринку контрактного виробництва напівпровідників – компанія TSMC, почне випускати 3-нм чіпи приблизно у 4 кварталі 2022 року. Обидві змагатимуться за право отримати замовлення від великих вендорів на кшталт AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA та Qualcomm.