Samsung объявила о начале массового производства на своей второй производственной линии в корейском Пхёнтхэке первых в отрасли мобильных 16-Гбит чипов DRAM LPDDR5. Для печати используется техпроцесс Samsung 10-нм класса (1z) третьего поколения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Компания обещает высочайшую производительность и самую большую ёмкость на мобильном рынке — это проложит путь для 5G, искуственного интеллекта и других возможностей в смартфонах следующего поколения.

Компания отметила, что её вторая производственная линия в Пхёнтхэке занимает площадь в 128 900 квадратных метров — это примерно 16 футбольных полей и на сегодняшний день рекорд в полупроводниковой индустрии. Эта фабрика будет служить ключевым производственным центром для передовых полупроводниковых технологий в отрасли, предлагая лучшие технологии DRAM и V-NAND.

Новые чипы 16-Гбит памяти LPDDR5 Samsung являются первыми в мире кристаллами DRAM, производимыми серийно с применением литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне. При скорости в 6400 Мбит/с эти чипы примерно на 16 % быстрее 12-Гбит LPDDR5 (5500 Мбит/с), которые используются в большинстве современных флагманских смартфонов. В 16-Гбайт упаковке такая память LPDDR5 может передавать около 51,2 Гбайт данных (10 фильмов в формате Full HD размером 5 Гбайт) за одну секунду.

Благодаря использованию техпроцесса 1z, 16-Гбайт упаковка LPDDR5 стала на 30 % тоньше, чем у предшественника, что позволяет уместить больше функциональных блоков в тонкие смартфоны 5G и складные устройства будущего. Модули LPDDR5 объёмом 16 Гбайт используют всего 8 чипов, тогда как предшественнику на базе техпроцесса 1y требовалось 12 чипов (восемь чипов по 12 Гбит и четыре чипа по 8 Гбит) для обеспечения той же ёмкости.

Samsung планирует и дальше в 2021 году укреплять присутствие на рынке флагманских смартфонов, а также расширять свою долю рынка в области LPDDR5 для автомобильной электроники, предложив решения с расширенным температурным диапазоном и соответствием строгим стандартам безопасности и надёжности в экстремальных условиях.

Источник: 3dnews.ru