Компания Samsung Electronics сообщила о начале пробных поставок первых в отрасли чипов памяти Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) DRAM, обеспечивающих скорость в 24 Гбит/с на контакт.

При изготовлении изделий применяется технология HKMG (High-K Metal Gate), которая была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG сокращаются утечки и повышается производительность.

Новые чипы Samsung GDDR6 обеспечивают примерно на 33 % более высокое быстродействие по сравнению с решениями предыдущего поколения со скоростью 18 Гбит/с.

Память будет применяться в графических ускорителях следующего поколения, рассчитанных в том числе на портативные компьютеры, системы искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, игровые консоли и пр.

Анонсированные чипы производятся с использованием процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) класса 10 нанометров (1z). В новом семействе чипов Samsung GDDR6 также будут представлены варианты с низким энергопотреблением, которые помогут продлить время автономной работы ноутбуков от аккумулятора.