Це відкриття може прокласти шлях до нового покоління надефективних рішень пам’яті для ШІ, мобільних технологій і обробки даних.

Науковці з Технологічного університету Чалмерса повідомили про відкриття унікального атомарного тонкого 2D-матеріалу, в якому одночасно співіснують два протилежні магнітні стани – феромагнітний і антиферомагнітний.

На відміну від складних, багатошарових систем, ученим вдалося інтегрувати обидві магнітні сили в єдину двовимірну кристалічну структуру, чого не вийшло у природи, пише Phys.Org. Це усуває інтерфейсні дефекти та спрощує виробництво.

Крім того, в матеріалі реалізована нахилена магнітна конфігурація: перемикання орієнтації магнітних моментів можливе без застосування зовнішнього магнітного поля. За оцінками вчених, це дає змогу скоротити енерговитрати під час запису і зберігання даних майже в 10 разів.

Матеріал створено на основі сплаву кобальту, заліза, германію і телуру. Його шари утримуються силами Ван-дер-Ваальса, що робить структуру особливо стабільною на атомарному рівні.

Блоки пам’яті відіграють важливу роль практично у всіх сучасних технологіях, зокрема в системах штучного інтелекту, смартфонах, комп’ютерах, автономних транспортних засобах, побутовій техніці та медичних пристроях.

Источник: unian.ua