Захист від ядерних загроз. Американська компанія Micross представляє надшвидкий детектор випромінювання

Компанія Micross оголосила про комерційний випуск свого інноваційного детектора ядерних подій (Nuclear Event Detector, NED), який встановлює нові стандарти у сфері захисту критично важливої електроніки.
Пристрій розроблено як швидшу, чутливішу та компактнішу альтернативу застарілим компонентам, що десятиліттями використовувалися в оборонних та аерокосмічних системах. Нове рішення покликане забезпечити безперебійну роботу платформ, де відмова електроніки є неприпустимою: від безпілотників і космічних супутників до ракетних установок та важкої наземної техніки.
Ключовою особливістю NED нового покоління є його перероблена архітектура. На відміну від традиційних конструкцій, які покладаються на зовнішні лінійні драйвери, інженери Micross інтегрували диференціальні драйвери та приймачі безпосередньо в мікросхему. Такий підхід дозволив усунути необхідність у додаткових компонентах на платі, зменшити вимоги до екранування та суттєво знизити загальну затримку системи. За даними розробників, використання зовнішніх схем у старих системах часто подвоювало час відгуку, тоді як нове інтегроване рішення забезпечує реакцію в межах від 3 до 5 наносекунд навіть в умовах екстремального перевантаження.
Технологічний прорив став можливим завдяки вдосконаленню власної розробки PIN-діодів та архітектури спеціалізованих інтегральних схем (ASIC). У результаті пристрій демонструє вдвічі вищу чутливість до потужності дози випромінювання та скорочує час реагування на високі дози радіації більш ніж на 50%. Це дозволяє системі миттєво виявляти події опромінення та впроваджувати протоколи захисту в режимі реального часу.
Детектор адаптований до найсуворіших умов експлуатації. Він здатен витримувати сумарну дозу радіації до 1 мільйона рад та функціонувати при імпульсному опроміненні, що сягає мільярдів рад на секунду. Пристрій також має високу стійкість до нейтронного потоку та стабільно працює в широкому температурному діапазоні: від -55°C до +125°C. Компактний 44-контактний корпус для поверхневого монтажу дозволяє інтегрувати детектор у малогабаритні системи без втрати продуктивності, а вбудована диференціальна передача сигналів підвищує завадостійкість при зниженому енергоспоживанні.
Виробництво мікросхем здійснюється в США на базі Jazz Semiconductor Trusted Foundry, що є довіреним постачальником Міністерства оборони США категорії 1B. Як зазначив технічний директор Micross Джон Сантіні, застосування сучасних методів проектування до перевірених компонентів дозволило створити продукт, який значно перевершує рішення попередніх поколінь. Наразі модель NED доступна в обмеженій кількості для ключових замовників, а повномасштабне виробництво планується розгорнути наприкінці 2026 року. Також очікується випуск модифікацій, що відповідають військовому стандарту MIL-PRF-38534 класу H.
Источник: techno.nv.ua

