Очікується, що наступний флагманський смартфон Samsung без складаного формату — Galaxy S26 Ultra — отримає новітній процесор Snapdragon 8 Elite Gen 2, який обіцяє суттєвий приріст продуктивності порівняно з Snapdragon 8 Elite у Galaxy S25 Ultra. Але підвищення швидкодії забезпечить не лише чіпсет — пристрій також матиме швидшу оперативну пам’ять.

Інсайдер @UniverseIce повідомив, що Galaxy S26 Ultra буде оснащений оперативною пам’яттю LPDDR5X із пропускною здатністю 10,7 Гбіт/с. Для порівняння, Galaxy S25 Ultra використовує LPDDR5X із показником 8,5 Гбіт/с, тож новинка отримає приблизно на 25% швидшу пам’ять. Це має позитивно вплинути на швидкість завантаження додатків, плавність відтворення графіки та загальну роботу системи.

У квітні 2024 року Samsung презентувала саме таксу LPDDR5X-пам’ять зі швидкістю 10,7 Гбіт/с, тож, найімовірніше, Galaxy S26 Ultra отримає власний фірмовий чіп. Жоден інший виробник наразі не пропонує мобільні модулі з більшою швидкістю: навіть LPDDR5T від Micron та SK Hynix, попри назву, досягає максимуму в 9,6 Гбіт/с. Це означає, що новий флагман Samsung може стати лідером ринку за швидкодією оперативної пам’яті.

Источник: itechua.com